零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB90N06S4L04ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
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BUK6C3R3-75C,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 181A...
¥14.44
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