供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A...
¥3.70
2,500 37,500 加入购物车 提交询价
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A...
¥4.82
5,000 580 加入购物车 提交询价
SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A...
¥6.16
2,500 2,500 加入购物车 提交询价
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