供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BUK6607-55C,118 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A...
¥5.29
800 3,200 加入购物车 提交询价
IRLH5034TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A...
¥11.10
4,000 4,000 加入购物车 提交询价
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