- 品牌：
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- Cree/Wolfspeed (5)
- Diodes Incorporated (36)
- IXYS (50)
- Microchip Technology (60)
- Microsemi Corporation (292)
- NXP USA Inc. (1)
- ON Semiconductor (76)
- Rohm Semiconductor (69)
- Sanken (22)
- Vishay Siliconix (40)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- 已选条件：
906 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH |
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 50M... |
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 990M... |
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Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6... |
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Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6... |
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL... |
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL... |
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Microsemi Corporation | MOSFET P-CHANNEL... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 190... |
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 600V 500... |
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