供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
2SJ652 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A...
-
1 580 提交询价
2SJ656 ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 18A...
-
1 580 提交询价
2SJ304(F) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 14A...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 3 条