零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APT33N90JCU3 Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A...
-
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APT33N90JCU2 Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A...
-
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MKE38RK600DFEL-TUB IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A...
¥165.12
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