- 品牌:
-
- Littelfuse Inc. (4)
- ON Semiconductor (1)
- Rohm Semiconductor (20)
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
45 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 41... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 41... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | SCT3022KL IS AN SIC... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | SCT3105KL IS AN SIC... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Littelfuse Inc. | SIC MOSFET 1200V 22A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 45... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 20... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | MOSFET NCH 1.2KV 17... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 |