- 品牌：
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- IXYS (1)
- ON Semiconductor (2)
- 系列：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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- FET 功能：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 160A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 60V 150A... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | POWER MOSFET |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 471 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.... |
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1 | 990 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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1 | 360 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A... |
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1 | 4,930 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A... |
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1 | 434 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.... |
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1 | 400 | 加入购物车 提交询价 |
