- 品牌：
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- EPC (3)
- IXYS (11)
- Littelfuse Inc. (1)
- Nexperia USA Inc. (11)
- ON Semiconductor (76)
- STMicroelectronics (12)
- Vishay Siliconix (141)
- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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397 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 8DF... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V DP... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V PO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 18.... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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4,435 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MV POWER MOS |
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4,425 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | FET 650V 36A TO220 |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
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3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | FET 650V 24A TO247AD |
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120 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | DIE MOSFET N-CH 10... |
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25 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
