晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
SSM5H12TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 1.9A...	-	1	580	提交询价
US5U29TR	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 1A ...	¥1.82	1	580	加入购物车提交询价
US5U30TR	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 1A ...	¥1.81	3,000	580	加入购物车提交询价
US5U1TR	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 1.5A...	¥1.75	3,000	580	加入购物车提交询价
US5U38TR	-	MOSFET P-CH 20V 1A ...	¥1.13	1	580	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 5 条