供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSS123/LF1R Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 150...
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PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
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PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
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PMV60EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A...
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PMV45EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A...
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PMV45EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A...
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PMV45EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A...
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BSN20,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 50V 173M...
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BSN20,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 50V 173M...
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BSN20,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 50V 173M...
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BSN20,235 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 50V 173M...
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SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A...
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SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A...
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SI2304DS,215 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A...
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PMV117EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A...
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PMV117EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A...
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PMV117EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A...
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