- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A... |
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1 | 2,721 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 1.4A... |
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1 | 3,991 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
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1 | 33,057 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540M... |
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1 | 33,167 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 9,626 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A... |
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1 | 14,610 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A... |
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1 | 11,164 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.7A... |
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1 | 24,815 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.8A... |
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1 | 3,045 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
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1 | 23,421 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 0.3A... |
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1 | 28,511 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2A ... |
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1 | 88,998 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 2.3A... |
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1 | 29,839 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 1.5A... |
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1 | 35,959 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.5A... |
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1 | 61,213 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.1... |
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1 | 62,021 | 提交询价 |
