系列:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BSR92PL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.1...
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BSR316PL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.3...
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BSR315PL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620M...
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DMN2114SN-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A...
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DMN2114SN-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A...
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DMP2012SN-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700M...
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DMP2012SN-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700M...
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