供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PMV65XP/MIR Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SO...
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SI2331DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A...
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SI2331DS-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.2A...
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SI2321DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.9A...
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SI2321DS-T1-E3 Vishay Siliconix
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