零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A...
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SI2302DS,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.5A...
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SI2302DS,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.5A...
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SI2302DS,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.5A...
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PMV117EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A...
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PMV117EN,215 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 2.5A...
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SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 30V ...
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