晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
DMN53D0U-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.3A...	¥0.32	10,000	580	加入购物车提交询价
DMP32D4S-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 300M...	¥0.65	3,000	9,000	加入购物车提交询价
DMP32D4S-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 300M...	¥0.56	10,000	70,000	加入购物车提交询价
TSM2N7002KCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 60V 300M...	¥0.44	3,000	45,000	加入购物车提交询价
DMN53D0U-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.3A...	¥0.43	3,000	33,000	加入购物车提交询价

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