- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A... |
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10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38... |
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1 | 33,341 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38... |
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1 | 33,341 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38... |
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3,000 | 33,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A... |
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1 | 34,591 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A... |
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1 | 34,591 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.3A... |
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3,000 | 33,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300M... |
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1 | 761,247 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300M... |
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1 | 761,247 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 300M... |
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3,000 | 759,000 | 加入购物车 提交询价 |
