- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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4 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 200M... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 0.2A... |
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1 | 514 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 310M... |
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1 | 59,080 | 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 50V 200M... |
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1 | 1,931,279 | 提交询价 |