供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FDN360P-NBGT003B ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V SS...
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BSS308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A ...
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BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
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AO3424 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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AO3424 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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