晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

工作温度：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

7 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
SSM3J307T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5A ...	-	1	580	提交询价
SSM3J307T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5A ...	-	1	580	提交询价
SSM3J307T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 5A ...	-	1	580	提交询价
DMP1045UQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 2...	¥0.80	3,000	580	加入购物车提交询价
DMP1045U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 4A ...	-	1	9,335	提交询价
DMP1045U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 4A ...	¥3.32	1	9,335	加入购物车提交询价
DMP1045U-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 12V 4A ...	¥0.71	3,000	9,000	加入购物车提交询价

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