功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.6...
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SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
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