供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CHANNEL...
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TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
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SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A...
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SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A...
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