供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN13H750S-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 130V 1A...
¥1.28
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DMN13H750S-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 130V 1A...
-
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DMN13H750S-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 130V 1A...
¥4.27
1 8,085 加入购物车 提交询价
DMN13H750S-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 130V 1A...
¥1.47
3,000 6,000 加入购物车 提交询价
FDN358P ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
-
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FDN358P ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A...
¥3.32
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FDN358P ON Semiconductor
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¥0.91
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