晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

包装：

工作温度：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

7 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
ZXM61N02FTC	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.7A...	¥1.28	10,000	580	加入购物车提交询价
SSM3J353F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SMALL LOW...	-	1	4,128	提交询价
SSM3J353F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SMALL LOW...	¥4.35	1	4,128	加入购物车提交询价
SSM3J353F,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	X34 PB-F SMALL LOW...	¥0.68	3,000	3,000	加入购物车提交询价
ZXM61N02FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.7A...	-	1	281,945	提交询价
ZXM61N02FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.7A...	¥3.79	1	281,945	加入购物车提交询价
ZXM61N02FTA	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 1.7A...	¥1.04	3,000	279,000	加入购物车提交询价

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