功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4.2A...
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DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated
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PMBF170,235 Nexperia USA Inc.
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RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
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RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
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CPH3355-TL-H ON Semiconductor
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AO3409L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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