零件状态:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMG3407SSN-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4A ...
¥0.78
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DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 600V 80M...
¥0.55
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DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 600V 80M...
-
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DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 600V 80M...
¥2.92
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DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 600V 80M...
¥0.69
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FDN5632N-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A...
-
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FDN5632N-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A...
¥3.63
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FDN5632N-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A...
-
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