- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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9 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A... |
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1 | 2,637 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 2.7A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CHAN 30V ... |
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1 | 430 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
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1 | 934 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 5,794 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
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1 | 22,233 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A ... |
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1 | 60,278 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 3.8A... |
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1 | 105,704 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V SO... |
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1 | 420,510 | 提交询价 |
