- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A |
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1 | 4,332 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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1 | 33,607 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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1 | 33,607 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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10,000 | 20,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A... |
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1 | 6,212 | 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A... |
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1 | 6,212 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 0.4A... |
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3,000 | 6,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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1 | 1,189,425 | 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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1 | 1,189,425 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350M... |
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3,000 | 1,188,000 | 加入购物车 提交询价 |
