供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A...
¥1.23
3,000 580 加入购物车 提交询价
TSM2302CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CHANNEL...
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3,000 21,000 加入购物车 提交询价
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