零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN3052L-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.4A...
-
1 580 提交询价
DMN5L06-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280M...
-
1 580 提交询价
DMP2012SN-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700M...
-
3,000 580 提交询价
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