功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SMM2348ES-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A ...
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SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.5A...
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