- 供应商器件封装:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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19 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A... |
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2,750 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
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1 | 5,934 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
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1 | 5,934 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A... |
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1 | 20,955 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A... |
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1 | 20,955 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A... |
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3,000 | 18,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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1 | 19,550 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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250 | 19,250 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A... |
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1 | 54,231 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A... |
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1 | 54,231 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A... |
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3,000 | 51,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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1 | 177,017 | 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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1 | 177,017 | 加入购物车 提交询价 | |||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
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3,000 | 174,000 | 加入购物车 提交询价 |