零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
CSD23201W10 Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A...
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CSD13302WT Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A...
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CSD13302W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
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CSD13302W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
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CSD13302W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
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CSD25213W10 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 1.6A...
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CSD23202W10T Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A...
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MOSFET P-CH 12V 2.2A...
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MOSFET N-CH 12V 1.6A...
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