供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A...
-
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DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A...
¥10.75
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DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A...
¥4.43
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BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A...
-
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BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A...
¥13.60
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BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A...
¥5.31
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