- 品牌：
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- Diodes Incorporated (15)
- NXP USA Inc. (5)
- ON Semiconductor (9)
- Vishay Siliconix (3)
- 系列：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8... |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 4.6... |
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Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 100V 3A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 7A... |
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520... |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.7... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.7... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.6... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 0.6... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5... |
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1 | 580 | 提交询价 |
