零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NDT03N40ZT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.5...
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NDT03N40ZT3G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 0.5...
-
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BSP125L6433HTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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BSP125 E6433 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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BSP125 E6327 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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BSP125H6433XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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BSP125H6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120...
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