供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FQD6N60CTM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A...
-
1 580 提交询价
FQD6N60CTM-WS ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DP...
¥5.47
1 580 加入购物车 提交询价
CDM3-800 TR13 Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 3A 800V...
¥3.98
2,500 580 加入购物车 提交询价
STD4NK80ZT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A...
¥5.58
2,500 5,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 4 条