供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPD90N06S407ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
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IPD50N04S308ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A...
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IPD50N04S308ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A...
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IPD50N04S308ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A...
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IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A...
¥4.61
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