供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SUD40N02-08-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A...
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IRFR3706CPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706TRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706TR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706CTRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A...
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IRFR3706TRPBF Infineon Technologies
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