功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
BS108/01,126 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300...
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BS108,126 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 300...
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BS108ZL1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.2...
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