功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FQN1N60CTA ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300...
¥4.50
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FQN1N60CTA ON Semiconductor
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STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 0.3...
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