晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	STQ3N45K3-AP	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 450V 600...		-	1	580	提交询价
	STQ2LN60K3-AP	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 0.6...		-	1	580	提交询价

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