供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IXTH10N100D2 IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10...
¥78.29
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IXTH10P50 IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A...
¥77.99
30 580 加入购物车 提交询价
IXTH10P60 IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A...
¥71.19
1 100 加入购物车 提交询价
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