供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15....
¥37.41
1 48 加入购物车 提交询价
IXFH22N60P3 IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A...
¥38.12
1 2,016 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 2 条