功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M020A060N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A...
-
1 580 提交询价
GP2M012A080NG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A...
-
1 580 提交询价
GP2M011A090NG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A...
-
1 580 提交询价
GP1M023A050N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A...
-
1 580 提交询价
GP1M020A050N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A...
-
1 580 提交询价
GP1M016A060N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A...
-
1 580 提交询价
GP1M009A090N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5...
-
1 580 提交询价
GP2M023A050N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A...
-
1 580 提交询价
GP2M020A050N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A...
-
1 580 提交询价
FCA47N60F_SN00171 ON Semiconductor
MOSFET N-CH TO-3PN
-
1 580 提交询价
RJK5015DPK-00#T0 Renesas Electronics America
MOSFET N-CHANNEL...
-
1 580 提交询价
RJK6014DPK-00#T0 Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A...
-
1 580 提交询价
2SK1518-E Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 20A...
-
1 580 提交询价
GP2M009A090NG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A...
-
1 580 提交询价
GP1M020A060N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A...
-
1 580 提交询价
GP1M020A060M Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A...
-
1 580 提交询价
GP1M010A080N Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A...
-
1 580 提交询价
WPB4002-1E ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A...
-
1 580 提交询价
WPB4001-1E ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 26A...
-
1 580 提交询价
2SK4209 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 12A...
-
1 580 提交询价
1 / 18 页 共 350 条