- 系列:
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- 功率耗散(最大值):
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- FET 类型:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- Vgs(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 41... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 17... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 18A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 1400V 12... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 200V 80A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 150V 80A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 100V 80A... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | MOSFET N-CH 200V 74A... |
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1 | 580 | 提交询价 |