供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APT97N65LC6 Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 97A...
¥126.12
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IXKK85N60C IXYS
MOSFET N-CH 600V 85A...
¥272.42
1 96 加入购物车 提交询价
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