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晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列：
GigaMOS™
(1)
PolarHT™ HiPerFET™
(1)
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
功率耗散（最大值）：
700W（Tc）
(1)
960W（Tc）
(1)
漏源电压（Vdss）：
250V
(1)
300V
(1)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
185nC @ 10V
(1)
265nC @ 10V
(1)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
20000pF @ 25V
(1)
8000pF @ 25V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
封装/外壳 : TO-264-3，TO-264AA
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） : 5V @ 4mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） : 24 毫欧 @ 60A，10V
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IXFK120N30T
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120...
¥75.24
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IXFK120N25P
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120...
¥73.31
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IXFK120N30T
IXYS
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
库存 : 580
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IXFK120N25P
IXYS
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