晶体管 - FET，MOSFET - 单 - 集管汇电子

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXFB44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 44...		¥245.68	1	580	加入购物车提交询价
	IXFK32N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 32...		¥177.65	1	27	加入购物车提交询价

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