供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IXFK150N15P IXYS
MOSFET N-CH 150V 150...
¥66.64
25 580 加入购物车 提交询价
IXTK150N15P IXYS
MOSFET N-CH 150V 150...
¥65.18
25 580 加入购物车 提交询价
IXFK36N60P IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A...
¥63.07
25 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 3 条