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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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停產
(2)
在售
(1)
漏源电压（Vdss）：
150V
(1)
200V
(1)
250V
(1)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
60A（Tc）
(1)
80A（Tc）
(2)
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
22.5 毫欧 @ 40A，10V
(1)
28 毫欧 @ 500mA，10V
(1)
47 毫欧 @ 500mA，10V
(1)
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
4500pF @ 25V
(1)
4600pF @ 25V
(1)
5100pF @ 25V
(1)
已选条件：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
封装/外壳 : TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装 : TO-264AA（IXFK）
功率耗散（最大值） : 360W（Tc）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） : 180nC @ 10V
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IXFK80N20Q
IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A...
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IXFK60N25Q
IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A...
-
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IXFK80N15Q
IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A...
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IXYS
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